您现在的位置:首页 >> 单项专利 >> 内容

HKMG结构制作方法

时间:2021/9/16 12:03:41 点击:

  核心提示:一种HKMG结构制作方法,包括以下步骤:优化在衬底上的N型金属栅区域和P型金属栅区域形成顺序,依次形成栅氧化层、高K介质层、可选过渡层、P型功函数刻蚀停止层、P型功函数层和伪多晶硅栅刻蚀停止层;N型金...
一种HKMG结构制作方法,包括以下步骤:优化在衬底上的N型金属栅区域和P型金属栅区域形成顺序,依次形成栅氧化层、高K介质层、可选过渡层、P型功函数刻蚀停止层、P型功函数层和伪多晶硅栅刻蚀停止层;N型金属栅区域和P型金属栅区域执行伪多晶硅栅工艺;去除伪多晶硅栅;打开N型金属栅区域的伪多晶硅栅刻蚀停止层;去除N型金属栅区域的P型功函数层;形成N型功函数层;形成金属栅。本发明能在不增加工艺步骤的前提下,能有效控制HKMG工艺中常见的铝扩散问题,并减少P型金属栅填充时film层数,从而可以有效增大AL填充窗口,优化金属栅Al填充缺陷,提高HKMG结构器件性能。

以上没写价格的,全套专利技术资料仅需260元至3980元,具体联系我们!
联系电话:0575-86879949 手机:13967599949 QQ:12234598 谢谢合作!有需要请直接打电话联系每项专利技术资料均为国家正式专利全文说明书。含技术配方、加工工艺、权利要求书、说明书或附图等说明:我们只是提供专利原文查询业务,不销售相关的产品、设备! 请谅解!
 
  • 我的三个兴趣爱好网(www.cycyw.com) © 2024 版权所有 All Rights Reserved.
  • 创业小项目创业技术创业技术资料生产资料创业网
    联系方法:浙江省新昌县大市聚镇工商所斜对面 邮编:312500
    联系电话: +86-0575-86879949 13967599949 点击这里给我发消息 客服QQ:12234598
    浙公安备案号:33062402000007
    浙ICP备08001054号-8