一种高可靠SiC肖特基二极管及其制作方法

一种高可靠SiC肖特基二极管及其制作方法，通过保护SiC肖特基二极管的肖特基接触区，提高肖特基二极管的可靠性，包括以下步骤：在位于N+衬底的N‑漂移层的表面进行氧化层的淀积；通过光刻刻蚀形成有源区；在有源区内进行P型离子注入然后高温退火；在SiC晶圆背面退火完成欧姆接触电极；腐蚀氧化层，对边缘两侧的氧化层进行腐蚀保留，在SiC晶圆正面退火形成肖特基接触电极；在肖特基接触区通过阳极金属蒸发或溅射和钝化层淀积的交替进行，实现对肖特基接触区的保护；并在钝化层中光刻孔洞，形成上下层金属层之间的互联，高可靠SiC肖特基二极管制作完成。

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